日本で最も長い歴史を持つメモリIPベンダーとして、
NSCoreはお客様の半導体製品設計に必要な
全てのデザインキットをワンパッケージにして提供いたします。
NSCoreの不揮発メモリIPは
独自のメモリセル技術を用いることで
低コストながら高い信頼性を実現しており、
車載製品にも採用されております。
PermSRAMは、1回だけ書込ができるOne-Time-Programmable Memory IPです。180nm以降の幅広いCMOSプロセスに適用実績があり、64bから512Kbまで様々な容量のIPを用意しております。
TwinBitは、PermSRAMと同様のメモリセル構造を持ちながら複数回の書き換えが可能なMulti-Time-Programmable Memory IPです。標準のCMOSプロセスにマスク追加をすることなく、千回~1万回の書き換えと150℃までの高温下で10年以上の耐熱性を実現しました。
40nmから22nmまたそれ以降の先端プロセスに対応するために、世界で初めて開発された「Pchショットキー・セル」を用いた不揮発メモリ技術です。Gen-1同様、マスク追加は必要ありません。最大千回までの書き換えを可能としながら極めて低い読み出し電力を実現しました。