概要
TwinBitは、PermSRAMと同様のメモリセル構造を持ちながら複数回の書き換えが可能なMulti-Time-Programmable不揮発メモリです。標準のCMOSプロセスにマスク追加をすることなく、千回～1万回の書き換えと150℃までの高温下で10年以上の耐熱性を実現しました。
適用例
- IoT機器
- MCU
- FPGA
- ASIC内蔵FLASHメモリの置き換え
- ファームウェア格納
- 市場書き換えが必要なセキュリティ鍵格納
- 市場書き換えが必要なトリムデータ格納
利点
- 業界No.1の高密度、小面積
- 追加マスクおよびプロセス不要
- 車載グレードの高品質
- 低電圧、低消費電力
- テスト回路内蔵
従来技術との比較
| TwinBit | eFLASH | 1Poly EEPROM |
|---|
| Bit Area | 1 | 1 | 40 |
| Retention | 10 Year | 10 Year | 10 Year |
| P/E | 100K Cycle | 10K Cycle | 100K Cycle |
| Add. Mask | None | +10 Mask | None |
| Add. Process None | None | Stacked Poly | None |
| Read Cycle | 50MHz | 50MHz | 30MHz |
| Operational Temp. | 150ºC | 150ºC | 85-150ºC |
| Storage | 150ºC | 150ºC | 85-150ºC |
| Program Voltage | 5.5V | 10V | 20V |
| Read | Byte | Byte | Byte |
| Program | Byte/Page | Byte | Byte |
| Erase | Sector | Sector | Byte |
| TwinBit | eFLASH |
|---|
| Campatibility with Standard IPs | Compatible | Not Compatible |
| Development TAT | Short | Very Long |
| Manufacuring Cost | Low (+0%) | High (+30-50%) |
| Leading Edge Process | Available | Not Available |
- Product Brief for Automotive-Grade TwinBit™ for TSMC0.18um Process
- PDF（119KB）
