書込方法
nMOSFETチャネルで発生させたホット・エレクトロンが側壁スペーサー内に注入される。
読出し方法
側壁スペーサーに捕獲された電子からの電界により、VtがシフトしON電流が減少する。
消去方法
ゲートに負電圧を印加することにより、ホット・ホールを側壁スペーサーに注入して捕獲されていた電子を中和することが出来る。
書込動作
差動対をなす2個のMOSFETのうち片側のみに電流を流してホット・エレクトロンを発生させる。
読出し動作
左右両側のビット線をプリチャージさせた状態からワード線を選択すると両側のMOSFETに電流が流れ始めるが、左右に生じた電流差をアンプで増幅して１ビットのデータを読み出す。
消去動作
消去時には全てのワード線に負電圧を印加することで、ブロック全体を一括消去することが出来る。
