NSCoreが保有する不揮発メモリの優位性
- 一般のロジック製造プロセスと完全互換であり、追加マスクや追加プロセス不要。
- メモリセル面積が極めて小さく、メガバイト級メモリを構成可能。
- 180nmから22nm世代まだ幅広いプロセス世代に対応。
- 電子トラップ型メモリセル技術により高い耐タンパ性を実現。
Technology Roadmap
組み込み型不揮発メモリ技術ベンチーマーク
| NSCore | MRAM | FLASH | OTP | |
|---|---|---|---|---|
| Additional Wafer Cost | +0% | +65% | +33% | +0% |
| Additional Mask Count | +0 | +5 | +12 | +0 |
| Compatibility with Hi-k Metal Gate | YES | YES | NO | YES |
| Cell Size (a.u.) | 1.5 | 1 | 1 | 1.5 |
| Endurance | 104 | 106 | 103 | 1 |
| Data Retention | 10 years | 10 years | 10 years | 10 years |
| Magnetic Field Immunity | YES | NO | YES | YES |
