概要
40nmから22nm世代のプロセスに対応するために、新たに「PMOSショットキー型メモリセル」を開発いたしました。TwinBit™ Gen-1に比べ、更なる低電圧動作、低消費電力を実現しました。
Pchショットキー不揮発メモリセル
書込／消去動作の
T-CADシミュレーション
ホット・キャリア注入を電圧条件によってコントロールすることが出来る
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Hot-Hole Generation Distribution in Program
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Hot-Electron Generation Distribution in Erase
