互補式金屬氧化物是一種製造電晶體的半導體技術。由於它所具備低電力消耗的優點，互補式金屬氧化物技術被廣泛使用在微處理器、微控制器、靜態隨機存取記憶體和其他數位邏輯電路內。

非揮發性記憶體是一種能夠在當電源被關閉時，依然保有儲存資訊的記憶體。非揮發性記憶體包括唯讀記憶體、可燒錄唯讀記憶體、可抹除式燒錄唯讀記憶體、電子式可抹除燒錄唯讀記憶體和快閃記憶體。非揮發性記憶體比揮發性隨機存取記憶體更適合長期資料儲存的應用。

非揮發性記憶體通常需要專門製造流程，不相容於標準互補式金屬氧化物製程。

NSCore's PermSRAM®是一種互補式金屬氧化物非揮發性記憶體技術，那意謂著它是相容於標準互補式金屬氧化物製程，不要額外光罩或製造流程。

PermSRAM® utilizes hot carrier trapping mechanism for its nonvolatility.