NSCore's PermSRAM®是一個高速和高密度非揮發性記憶體巨集，使用標準互補式金屬?化物製程，不需要額外光罩。
- 最小面積的一次或多次可程式化非揮發性記憶體
- 靜態隨機存取記憶體一樣介面
- 快速讀取和寫入
- 可移植到65奈米及更先進世代製程
- 使用傳統測試機台便可進行整體完全測試，不須使用紫外線幅射曝?
| PermSRAM® | Laser Fuse | Pory eFuse | Cap eFuse | FG-NVM (eMemory) |
|
|---|---|---|---|---|---|
| Program scheme | HC injection | Laser power | Current power | Current power | HC injection |
| Programmed information |
Trapped charge | Resistance change | Resistance change | Resistance change | Floating charge |
| Field programmable |
Yes | No | No | No | Yes |
| Scalability | Good | Bad | Bad | Good | Fair |
| Additional process |
No | Fuse window | No | No | No |
| Program voltage | 4-5V | - | 5-7V | 5-8V | 6-7V |
| Program current | < 100uA | - | 1-10mA | 100-1000uA | 150uA |
| Program time | < 10us/bit | 100ms/bit | 10ms/bit | 10-100us/bit | 100us/bit |
PermSRAM®的使用範圍廣泛，包含以下所列應用：
- 安全密 碼儲存
- 程式儲存
- 類比修正
- Gamma校正
- 記憶修補
- 功能選擇
- 修補程式
- 晶片號碼
- Digital rights management (DRM)數位版權管理
- HDMI 解碼
- 等等許多應用 …
Silicon-proven IPs 所有以下要點是可利用於晶圓廠的 0.18微米, 0.13微米, 90奈米和 65奈米製程.
- 記憶體容量: 64位元到 512K位元
- 燒?次數: 一次和四次
- 資料輸入和資料輸出位元: 8位元/16位元/64位元
