當開發一個MPU、ASIC、ASSP或任何型態大型積體電路晶片時，設計規格內可能會有一個非揮發性記憶體的需求。例如，在出貨前後可能要儲存安全密碼在你的產品內，或者在發表產品到市場之前的最後關頭，想要進行軟體最後修改，又或者你是位動態隨機存取記憶體或靜態隨機存取記憶體的設計師，可能需要在不使用雷射燒斷保險絲的方式下，燒寫redundancy位置。

嵌入式系統大型積體電路早已使用數種非揮發性記憶體技術，譬如“嵌入式電子抹除唯讀記憶體”和“嵌入式快閃記憶體 ”。然而，比起標準互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程，這些製程技術的費用昂貴，但卻又不如標準CMOS製程那麼先進。當然，也可以使用一個外接的快閃記憶體，但是它卻需要額外成本，而且使得存於記憶體的安全密碼及內容易被讀取破解，而便於競爭對手進行反向工程。

NSCore's PermSRAM®現在讓你的產品與其他任何產品產生顯著差異化。它是一個非揮發性靜態隨機存取記憶體，使用標準互補式金屬氧化物半導體製程，不需任何額外光罩，同時這記憶體單元尺寸是和靜態隨機存取記憶體一樣小，在你的設計區域只要一點小空間，便能夠享受許多非揮發性記憶體功能的好處。

1.省去唯讀記憶體

快閃記憶體和電子式可抹除燒錄唯讀記憶體被廣泛地使用在內建程式儲存裝置內。然而，軟體是被儲存在唯讀記憶體內，必須在開機時被載入隨機存取記憶體以便於快速讀取。如此一來系統需要同時包含唯讀記憶體和靜態隨機存取記憶體，導致成本倍增。
我們的 PermSRAM®能夠在互補式金屬氧化物矽晶圓內將兩種記憶體合併為一種非揮發性隨機存取記憶體，而且不會影響程式執行性能。因為 PermSRAM®有和標準靜態隨機存取記憶體相等的資料傳輸速率。
你能夠從你的系統中除去唯讀記憶體和大幅減少晶片面積和成本。

2.與熔斷式保險絲比較

PermSRAM®只需要比熔斷式保險絲1/100還要小的矽晶圓面積，寫入電壓/電流小於5V/100uA，寫入時間小於10usec/bit。

3.不需要升壓器

PermSRAM®由於是低寫入電壓，不需要任何升壓器，在電路板上只須要使用標準5伏特電源。在像64bit-256bit小容量巨集， PermSRAM®與其他需要升壓器的技術比較，能夠減少10%-20%晶片面積需求。

4.高保密性儲存

資料被儲存在熔斷式保險絲或內建靜態隨機存取記憶體的ASIC，加上外掛唯讀記憶體是不安全的，因為資料很容易透過資料匯流排或晶片視覺檢查被讀取。
在 PermSRAM®內，資料通訊只有在矽晶圓內，所以要從外部觀測到信號是很困難的，用現有技術要去分析出儲存內容幾乎是不可能的，PermSRAM®能夠強力保護客戶敏感的資料。

5.我們提供系統方案解決你的問題

PermSRAM®能夠被使用在比起之前所提到的實例還多的應用中，我們的專業顧問會從系統角度觀點，幫助滿足客戶解決不同需求。