CMOS（相補型MOS）とは、LSI（半導体集積回路）の設計製造に現在標準的に用いられている半導体技術です。マイクロプロセッサやマイクロコントローラ、SRAMなどの多くの製品はCMOSを製造プラットフォームにしています。
CMOS技術は2〜3年ごとに新しい世代が開発され、より高密度化・高速化されています。

不揮発メモリとは、電源を切っても情報を保持し続けることのできる半導体メモリのことです。不揮発メモリをシステム中に組み込み、システムデータ、プログラムコード、認証データを格納することによって、システムの総合性能を向上させることができます。

不揮発メモリの製造には、一般的には専用のプロセスが必要であり、標準CMOSプロセスとは互換性がないという問題がありました。しかし、NSCoreのPermSRAM®はこれら互換性の問題を解決した、きわめて使いやすい不揮発メモリ技術です。ファウンダリプロセスを含み、標準CMOSプロセスにマスクの追加やプロセスの変更を行うことなしに、不揮発メモリが搭載可能となりました。

PermSRAM®は、ホットキャリアトラッピングの原理により不揮発メモリを実現しています。意図して発生させたホットキャリアによってトランジスタを帯電させます。この帯電現象は不可逆な反応で、トランジスタの電流変位、すなわちビットデータを長期間保持することができます。