不揮発性メモリ技術のIPプロバイダ、株式会社NSCore(エヌエスコア)のウェブサイ
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PermSRAM®

PermSRAM®

NSCoreのPermSRAM®は高速・高密度の不揮発メモリマクロで、マスクの追加やプロセスの変更なしに標準CMOSプラットフォームに搭載が可能です。

特徴

  • 複数回書き換え可能なMTP不揮発メモリとして最小のマクロサイズを提供します
  • SRAM同様のインターフェースで、SRAM並の高速なリード/ライト時間でお使い頂けます
  • 65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバーします
  • 150度C以上の高温データ保持特性を持ちます
  • テスト容易性を持ち、出荷検査を完全にできます

利点

  PermSRAM® Laser Fuse Pory eFuse Cap eFuse FG-NVM
(eMemory)
書込み方式 ホットキャリア
注入
レーザー 電流 電流 ホットキャリア
注入
書込み情報 トラップ電荷 抵抗変化 抵抗変化 抵抗変化 浮動電荷
フィールド書込み 可能 不可能 不可能 不可能 可能
スケーラビリティ 高い 低い 低い 高い
追加プロセス 不要 ヒューズ窓 不要 不要 不要
書込み電圧 4-5V - 5-7V 5-8V 6-7V
書込み電流 < 100uA - 1-10mA 100-1000uA 150uA
書込み時間 < 10us/bit 100ms/bit 10ms/bit 10-100us/bit 100us/bit

アプリケーション

PermSRAM®は、以下のように広く応用することができます。

  • セキュリティコードの保管
  • プログラムの保管
  • アナログトリミング
  • ガンマ補正
  • メモリ不良救済
  • 機能選択
  • パッチコードPatch code
  • チップID
  • デジタル著作権管理(DRM)
  • HDMIデコード
  • その他

IPブロック図

PermSRAM®の製品ラインナップ

ファウンダリー各社の0.18um, 0.13um, 90nm, and 65nmプロセスで、検証済みの様々なIPを用意しております。主な仕様は以下の通りです。

  • メモリ容量: 64bから512Kb
  • 書き換え回数: 1回または4回
  • DIN/DOUT Port: 8b/16b/64b