MPU、ASIC、 ASSPなど製品分野の違いこそあれ、システムLSIを開発する多くの方々が一度は経験されるのが、「電源を切っても情報を忘れない不揮発メモリがもっと簡単につかえればなあ」という思いではないでしょうか。「製品出荷後にセキュリティ情報を格納したい」「搭載したソフトウェアを製品発売後に修正したい」「ディスプレイなど製品個体差が生じやすい製品をセット組み立て後に微調整したい」など。

従来からEEPROMやフラッシュメモリといった不揮発メモリがありましたが、多くのお客様が「ワンチップ追加のコスト増は許されない」あるいは、「外付けのフラッシュは外から読み出せてしまうから、セキュリティが確保できない」などの理由から、一歩を踏み出せないでいるのも事実だと思います。

このようなお客様の声にお答えするために開発されたのが、PermSRAM®です。PermSRAM®は、その名の示すとおり「不揮発なSRAM」なのです。標準のCMOSプロセスを使い、一切の追加工程を必要としませんからウェハーコストの増加もありません。お客様の設計されるシステムLSI上に、僅かな面積をいただければ、不揮発メモリ機能を提供いたします。メモリセルの面積もSRAM並みですから、まさに使いたい場所に使いたいだけ。これからのLSI設計は、不揮発メモリをフリップフロップやバッファの様な回路部品としてお使いいただける時代なのです。

1.FlashROM/EPPROMの除去

組み込み系プログラム格納場所としてFlash/EPPROMは広く使われていますが、SRAMにロードする必要があるため、ROMとSRAMという2重のコストを払う必要がありました。 PermSRAM®はCMOS上に不揮発メモリを実現するのみならず、SRAMと同等のデータ転送速度を実現出来るため、MPUと同じシリコン上に搭載するPermSRAM®一つでROM+SRAMと同等の構成が可能です。お客様のシステムからFlashROMを丸ごと除去することにより、大きな面積とコスト削減となることでしょう。

2.e-Fuseに対する優位性

ビットあたりのシリコン専有面積は100分の１以下になります。
フィールドでの書き込みが可能です。
書き込みの電圧は５V以下、電流は100uA以下、ビット当たりの書き込み速度は10usec以下となっており、いずれの特性もe-Fuseよりも優秀です。

3.チャージポンプが不要

PermSRAM®では書き込み電圧が低いので、チャージポンプを使わずに、ボード上の5V電源を使えるのが魅力です。特に64bit-256bit程度の小容量マクロでは、チャージポンプを必要とする他の技術に比べて、面積は5分の１から10分の１程度になることが確認されています。

4.強固なセキュリティ特性

e-FuseやSRAM内蔵ASIC+外付けROMを使って、セキュリティー鍵をチップ内に書き込むケースでは、チップを分解すれば情報を読めてしまう可能性がありました。 PermSRAM®ではシリコン上でのみデータ通信が行われ、外部からの観測が非常に困難です。このため記憶した情報を解析することは現在の技術では不可能に近いと言えるでしょう。PermSRAM®はお客様のセキュリティー鍵を強力に保護します。

5.お客様の問題をシステムレベルで解決

上記に限らず、技術を熟知した弊社のコンサルタントがお客様の様々な問題をシステム構成を考えるところからお手伝い致します。